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簡要描述:熱誘導化學氣相沉積是用于各種電介質(zhì),半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式,無論是單晶,多晶,無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳,碳化硅,氮化硼。通過使用合成前體,涂層非常純凈并目滿足半導體工業(yè)的典型要求,根據(jù)工藝參數(shù),可以有多種層厚度,從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護層或功能層,以及厚度達100微米的單片部件,甚至高達數(shù)毫米。
氣相沉積爐簡介
熱誘導化學氣相沉積 (英語:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各種電介質(zhì),半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式,無論是單晶,多晶,無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳,碳化硅,氮化硼。通過使用合成前體,涂層非常純凈并目滿足半導體工業(yè)的典型要求,根據(jù)工藝參數(shù),可以有多種層厚度,從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護層或功能層,以及厚度達100微米的單片部件,甚至高達數(shù)毫米。
熱誘導的化學氣相滲透(英語:chemical vaporinfiltration ,CVI)是一個與CVD有關(guān)的技術(shù),以在基體材料滲入多孔或纖維預(yù)成型件以制備由復合材料制成的部件具有改善的機械性能,耐腐蝕性,耐熱沖擊性和低殘余應(yīng)力。
技術(shù)特點:
設(shè)備規(guī)格:
產(chǎn)品 |
產(chǎn)品型號 |
有效區(qū)尺寸(mm) |
冷態(tài)極限真空度(Pa) |
最高工作溫度(℃) |
適用工藝 |
C4VGR16 |
VVCgr-56/60-1600 |
Φ560x600 |
1 |
1600 |
CVD/CVI |
C6VGR16 |
VVCgr-84/90-1600 |
Φ840x900 |
1 |
1600 |
CVD/CVI |
C8VGR16 |
VVCgr-110/120-1600 |
Φ1100x1200 |
1 |
1600 |
CVD/CVI |
C10VGR16 |
VVCgr-140/200-1600 |
Φ1400x2000 |
1 |
1600 |
CVD/CVI |
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